活性炭載陰離子合成碳化硅

碳化硅是一種共價(jià)結(jié)合的碳化物陶瓷，具有高硬度和耐磨性，耐溫超過1600℃。由于這些特性，SiC對(duì)采礦、航空航天和高溫電子應(yīng)用等行業(yè)很有作用。然而，由于制造這種材料需要大量能量，因此正在研究其他更節(jié)能的方法。在這項(xiàng)研究中，碳化硅是由從溶液中吸附到活性炭上的硅酸鹽陰離子合成的，并在保護(hù)氣體氣氛下滲碳。

碳化硅

碳化硅因其廣泛的應(yīng)用范圍而成為許多研究和表征嘗試的主題。硅和碳的尺寸相似，碳化硅的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致每個(gè)硅和碳原子被其他類型的四個(gè)原子包圍。結(jié)果，碳化硅分子可以在單晶面上形成薄片。當(dāng)另一個(gè)平面堆疊在前一個(gè)平面的頂部時(shí)，就會(huì)發(fā)生偏移，四面體形式的分子會(huì)發(fā)生偏移。由于這種變化而導(dǎo)致的分子排列稱為多晶型，而一維等價(jià)物稱為多型。當(dāng)發(fā)生不同的分子位移時(shí)，會(huì)出現(xiàn)不同的碳化硅多型。當(dāng)材料平面的一部分與同一平面上的其他分子未對(duì)齊時(shí)，材料中就會(huì)出現(xiàn)缺陷 。然而，當(dāng)材料在晶格內(nèi)的不同配置下穩(wěn)定時(shí)，就會(huì)發(fā)生晶體多型。